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HSMBJ5914B Buy Now and Stock Informations |
HSMBJ5914B Electronic Components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | HSMBJ5914B | SILICON 3.0W ZENER DIOCE Microsemi Corporation data | |
Electronic components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | HSMBJ5915B | SILICON 3.0W ZENER DIOCE Microsemi Corporation | ||
2 | HSMBJ5916B | SILICON 3.0W ZENER DIOCE Microsemi Corporation | ||
3 | HSMBJ5917B | SILICON 3.0W ZENER DIOCE Microsemi Corporation | ||
4 | HSMBJ5918B | SILICON 3.0W ZENER DIOCE Microsemi Corporation |
Featured electronic components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | HSMBJ5914B | SILICON 3.0W ZENER DIOCE 8700 E. Thomas Road Scottsdale, AZ 85251 Tel: (480) 941-6300 Fax (480) 947-1503
HSMBJ5913B thru HSMBJ5956B
SILICON 3.0 W ZENER DIODE
FEATURES:
• • • • Surface mount equivalent to 1N5913B thr Microsemi Corporation |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
2SC1815 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, O, Y, G and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA1015 is recommended. On special request |
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