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PDF F0118G Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | F0118G | |
| Descripción | GaAs Infrared Emitting Diode | |
| Fabricantes | OSRAM | |
| Logotipo |  |
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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power)
GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power)
F 0118G
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im
TOPLED® Gehäuse
• Chipgröße 300 x 300 µm2
• Emissionswellenlänge: 950 nm
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
Anwendungen
• IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Sensorik
Features
• Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in
TOPLED® package.
• Chip size 300 x 300 µm2
• Peak wavelength: 950 nm
• Very highly efficient GaAs LED
• Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents
• DC or pulsed operations are possible
• High reliability
• High pulse handling capability
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
• Remote control for steady and varying
intensity
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Sensor technology
Typ
Type
F 0118G
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A0136
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß,
Infrared emitting die, top side anode connection
2003-04-10
1
1 page  
Relative Spectral Emission1) IFrel= f (λ)
TA = 25 °C
100
%
Ι rel
80
OHR01938
60
40
20
F 0118G
Radiant Intensity1) Ie/Ie(100mA) = f (IF)
TA = 25 °C, single pulse: tp = 20 µs
10 2
A
Ιe
Ι e 100 mA
10 1
OHR01551
10 0
10 -1
0
880 920 960 1000 nm 1060
λ
Forward Current1)
IF= f (VF), Single pulse, tp = 20 µs, TA = 25 °C
10 1 OHR01554
ΙF A
10 0
10 -1
10 -2
10 -2
10 -3 10 -2 10 -1 10 0 A
ΙF
Permissible Pulse Power1)
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
10 1
10 4 OHR00860
Ι F mA
5
D
=
tp
T
D = 0.005
tp
T
ΙF
0.01
0.02
10 3 0.1
0.05
0.2
5
0.5
10 -3
0 12 3 4 5 6V 8
VF
1) Based on typ.(see page 2, footnote 2 for explanation)
data measured in OSRAM Opto Semiconductor’s
TOPLED® package.
2003-04-10
5
10 2 DC
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0
10 1 s 10 2
tp
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| F0118G | GaAs Infrared Emitting Diode | OSRAM |
| F0118J | GaAs Infrared Emitting Diode | OSRAM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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