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F0118G Hoja de datos en formato PDF ( Datasheet )

F0118G Función - GaAs Infrared Emitting Diode - OSRAM

Número de pieza F0118G
Descripción GaAs Infrared Emitting Diode
Fabricantes OSRAM 
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F0118G Hoja de datos, Descripción, Manual
GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power)
GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power)
F 0118G
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im
TOPLED® Gehäuse
Chipgröße 300 x 300 µm2
Emissionswellenlänge: 950 nm
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Anwendungen
IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Lichtschranken bis 500 kHz
Sensorik
Features
Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in
TOPLED® package.
Chip size 300 x 300 µm2
Peak wavelength: 950 nm
Very highly efficient GaAs LED
Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents
DC or pulsed operations are possible
High reliability
High pulse handling capability
Applications
IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
Remote control for steady and varying
intensity
Light-reflection switches (max. 500 kHz)
Sensor technology
Typ
Type
F 0118G
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A0136
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß,
Infrared emitting die, top side anode connection
2003-04-10
1





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F0118G Datasheet ( Hojas de datos )


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F0118GGaAs Infrared Emitting DiodeOSRAM
OSRAM
F0118JGaAs Infrared Emitting DiodeOSRAM
OSRAM



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