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PDF TD357EG Datasheet ( Hoja de datos )

Número de pieza TD357EG
Descripción N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fabricantes UNIKC 
Logotipo UNIKC Logotipo

Total 5 Páginas
		
TD357EG Hoja de datos, Descripción, Manual
TD357EG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 6mΩ @VGS = 10V
ID
74A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
74
44
130
Avalanche Current
IAS 35
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
61.2
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
56
22
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Package limitation current is 60A
SYMBOL
RqJC
TYPICAL
MAXIMUM UNITS
2.2 °C / W
REV 1.1
1 2014/7/11

1 page
TD357EG datasheet

1 Page

TD357EG pdf
TD357EG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
*因为各家封装模具不同而外观略有所差异,不影响电性及Layout。
REV 1.1
5
2014/7/11

5 Page






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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
TD357EGN-Channel Enhancement Mode MOSFETUNIKC
UNIKC

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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